...毒性和致癌性严重阻碍了传统的防腐工艺铬酸盐转化膜工艺的继续使用[1],关于铬化合物的替代物的研究中倍半硅氧烷(Silsesquioxane,SSO)是研究较多的的一种[2,3].
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硅倍半氧烷;silsesquioxane 环氧乙烷;氧化乙烯;恶烷;恶烷;ethylene oxide;epoxyethane;oxane 环氧乙烷;氧化乙烯;一氧三环;恶烷;Ethylene oxide;Oxirane;Epox...
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Si基多子L介质 （1）二硅三氧烷（Silsesquioxane，SSQ）基多孔低介电薄膜 对于二硅三氧烷基多孔介质材料，二硅三氧烷是其基本结构单元（如图卜6所示）。
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polyhedral oligomeric silsesquioxane 笼型倍半硅氧烷 ; 多面体低聚倍半硅氧烷 ; 多面齐聚倍半硅氧烷 ; 硅氧烷
hydrogen silsesquioxane 氢硅酸盐类
polyhedral oligomeric silsesquioxane epoxide poss环氧化物
amino-silsesquioxane 氨基笼型倍半硅氧烷
Pentyl silsesquioxane 戊基硅倍半硅氧烷
hydroxyl silsesquioxane 四羟基多面体倍半硅氧烷
epoxy-silsesquioxane 环氧倍半硅氧烷
silsesquioxane resin 倍半硅氧烷树脂
cyclohexyl silsesquioxane 环己基笼型硅氧烷
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The invention relates to a polyhedral silsesquioxane (POSS)-modified polypropylene melt-blown nonwoven fabric and a preparation method thereof.
本发明涉及一种多面体倍半硅氧烷（POSS）改性聚丙烯熔喷非织造布及其制备方法。
Disclosed herein is a method for forming an interlayer dielectric film for a semiconductor device by using a polyhedral molecular silsesquioxane.
此处公开了一种使用多面体分子倍半硅氧烷形成半导体器件所用的层间电介质膜的方法。
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