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metal-semiconductor contact 金属 ; 金属半导体接触 ; 金半欧姆接触
The resistance of the metal probe to semiconductor contact can be quite high.
金属探头与半导体接触时的电阻可能相当高。
A semiconductor device (10) has contact between the last interconnect layer (16) and the bond pad that includes a barrier metal (26) between the bond pad (28) and the last interconnect layer (16).
一种半导体器件(10)，具有在最后的互连层(16)和接合焊盘之间的接触，该接合焊盘包括接合焊盘(28)和最后的互连层(16)之间的阻挡金属(26)。
The paper describes the mechanisms of metal-semiconductor contact and the actual applications of this contact in semiconductor technology.
本文评述了金属-半导体接触的各种机理以及这个接触在半导体枝术中的实际应用。
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