由于GMR和TMR效应在磁电子学器件，如传感器、硬盘磁头和磁性随机动态存储器（MRAMs）的应用有着极大的潜力，因而受到广泛关注。如果不用电荷，而用载流子自旋或磁性存储数据，就可能做成不易挥发的MRAMs。
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Most MRAMs that are now being developed write data by applying the magnetic field generated by a current running through a wire near a tunneling magnetoresistive element to change the magnetization.
第一代MRAM的数据写入方式主要是向导线中通电使其周围产生磁场，从而改变邻近的存储单元的磁化程度。
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