经由过程采用新的材料，IBM将制造出存在“高电介质金属门（High-k metal gates）”的芯片，从而使产物的性能更好、尺寸更小、能源效率更高。
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High-k metal gates 高电介质金属门
k metal gates
K金属门
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The planar cell structure integrated a Hi-K (high capacitance) metal gate stack into the NAND production to allow for smaller floating gates and thus higher storage capacity.
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