...签： iOS 9 新OS X 推动摩尔定律前进的工程师们讲述他们的故事 有理由说他们发明了应变硅和high-k metal gates（高电介质金属门），同样第一个把FinFETs应用到实际产品中的公司。但是，我还是会祝贺IBM在铜研究领域取得的成绩。
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high-k metal gates
高k金属门
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The planar cell structure integrated a Hi-K (high capacitance) metal gate stack into the NAND production to allow for smaller floating gates and thus higher storage capacity.
FORBES: New Flash Memory Devices Will Lead to 128 GB Consumer Products and More Flash in Computer Systems
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