...的特征尺寸逐渐减小为基础的.当栅极SiO2介电层的厚度减小到原子尺度大小时，由于量子效应的影响，SiO2将失去介电特性，因此必须寻找一种新的高介电常数（high-K）的氧化物材料来代替它.如今世界上许多国家都开展了替代SiO2的介电氧化物材料的研究工作.
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SiON是目前较为常见的介电材料，但是，由于因为制程的不断细微化，使得漏电流的情况更为严重，所以，必须寻找高介电（High-K）的材料与不同的2种金属闸极来克服此一缺陷，这也是进入奈米制程的业者急欲研发的方向之一。
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High-k Metal Gate 金属闸极 ; 金属闸 ; 高电介质金属栅极
High-K Dielectrics 高介电薄膜 ; 高k介质
high-k gate dielectrics 栅极电介质 ; 高K栅介质
high-K capacitor 高介电常数电容器
High-k Materials 高介电质材料
High K Cap layers 高介电值覆盖层
high-k gate-first 高电介质先加工栅极
High K-value 高k值
High-k metal gates 高电介质金属门
In this dissertation, we will investigate the application of several high-k dielectric and metal gate process technologies.
在本论文中，吾人将探讨数种高介电系数介电层与金属闸极的研究与应用。
Contrasted to composite high-k materials with conductive and insulated phases, it is simple in structure and low in energy loss.
相对于导电相一绝缘相复合高介电材料，它结构简单，损耗不高。
At the 2010 IEEE International Electron Devices Meeting in San Francisco next week, Samsung will present a paper on a rival technology: ''gate-last high-k/metal gate devices.''
不过， 令人 感到意外的是，在下周即将召开的2010年IEEE国际电子设备大会上，三星准备演讲的文章题目竟然是《gate-last工艺high-k金属栅设 备》。
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