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  栅极接地NMOS

关键词: 静电泄放(ESD), 栅极接地NMOS(GGNMOS), 骤回特性 | 全部关键词

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  栅接地NMOS

在ESD作用期间,栅接地NMOS(GGNMOS)的开启时间大约在lO"--20ns,略 等于人体模型ESD脉冲上升时间,能够较好的保护器件不受静电损伤。

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GgNMOS

  • abstract: ggNMOS is an abbreviation for grounded-gate NMOS. A ggNMOS is an electrostatic discharge (ESD) protection device used within CMOS integrated circuits (IC).

以上来源于: WordNet

双语例句

  • Based on simulation, the characteristics and mechanisms of failure on a deep sub-micron grounded-gate NMOS (GGNMOS) are studied under TLP (transmission line pulse) stress.

    对TLP(传输线脉冲)应力下深亚微米ggnmos器件的特性和失效机理进行了仿真研究。

    youdao

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