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栅极接地NMOS

关键词: 静电泄放(ESD), 栅极接地NMOS(GGNMOS), 骤回特性 | 全部关键词

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MOS管

基于ESD应力下栅接地N型MOS管(GGNMOS)的工作特性,提出2种开启后区域的器件级模型结构和相应的参数提取方法,并利用Matlab分别基于两种模型对不同工艺参数的样品进行模 ...

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栅接地NMOS

在ESD作用期间，栅接地NMOS（GGNMOS）的开启时间大约在lO＂--20ns，略等于人体模型ESD脉冲上升时间，能够较好的保护器件不受静电损伤。

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abstract: ggNMOS is an abbreviation for grounded-gate NMOS. A ggNMOS is an electrostatic discharge (ESD) protection device used within CMOS integrated circuits (IC).

以上来源于: WordNet

Based on simulation, the characteristics and mechanisms of failure on a deep sub-micron grounded-gate NMOS (GGNMOS) are studied under TLP (transmission line pulse) stress.

对TLP(传输线脉冲)应力下深亚微米ggnmos器件的特性和失效机理进行了仿真研究。

youdao

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