...损耗与结温的关系进行了研 究，从晶闸管结温的角度提出了损耗的估算方法；文 献[5]基于分析高频工况下门极关断（Gate Turn Off， GTO）晶闸管的开关损耗建立了等效传热模型，并 将其用于高频工况的结温分析；文献[6]给出了飞跨 电容型多电...
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...损耗与结温的关系进行了研 究，从晶闸管结温的角度提出了损耗的估算方法；文 献[5]基于分析高频工况下门极关断（Gate Turn Off， GTO）晶闸管的开关损耗建立了等效传热模型，并 将其用于高频工况的结温分析；文献[6]给出了飞跨 电容型多电...
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gate turn off current 闸门电路断开电流
gate turn-off switch 可关断可控硅开关
gate turn off voltage 闸门电路断开电压
gate turn off signal 闸极关闭讯号 ; 闸极封闭讯号
silicon gate turn-off switch 可关断可控硅开关
GTO Gate Turn-off Thyristors 可关断晶闸管
Gate Turn-Off Thyristor 可关断晶闸管
Gate Turn-Off Thyristors 门极可关断晶闸管
gate turn off transistor gto 门极可关断晶闸管
The paper presents a new PWM CSI using only one gate turn off switch and six thyristors. The converter uses active commutation to realize PWM in a conventional thyristor-based CSI.
该文提出一种采用一个门极可关断开关和六个晶闸管的新的PWM电流源逆变器，此电路通过有源换流来实现传统的晶闸管CSI的脉宽调制。
IGCT is a kind of high power semiconductor based on GTO structure, which achieves hard turn-off by the integrated gate circuit.
IGCT是一种基于GTO结构并利用集成门极电路进行硬驱动控制的大功率半导体开关器件。
The paper gives the current and voltage waveforms of multi GTO devices at turn-off, analyzes and compares the waveforms of gate current and voltage.
给出了多个GTO元件关断时的电流、电压波形。 并对其门极电流、电压波形进行了分析和比较。
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