...记忆体技术，例如相变记忆体（Phase-Change Memory）、磁阻记忆体（Magneto Resistive Memory）、电阻记忆体（Resistive Memory）等技术都蓄势待发。 相变记忆体的读取、写入速度不但更快，同时也能有更多的写入循环，比 DRAM 更短的延迟读取速度。
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电阻式记忆体 Resistive RAM ; resistive random access memories
电阻记忆体
Resistance memory
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