电阻式记忆体Resistive random-access memory，缩写为 RRAM 或ReRAM），是一种新型的非挥发性记忆体。类似的技术还有CBRAM与相变化记忆体，目前许多公司都正在发展这种技术。因其具有读写速度快、结构简单、单元面积小、密度高等特点，近年来得到越来越多研究团体的关注，研究的材料也越加广泛。 从1999年起，非挥发性记忆体的市场需求就有突破性的成长，因为近几年陆续出现如随身碟、数位相机储存卡、手机记忆体等相当广泛的应用，创造出其他技术无法涵盖的全新市场。目前主流的非挥发性记忆产品为快闪记忆体，但是现有的快闪记忆体元件架构在65nm技术世代以後，将逐渐面临物理极限的挑战，因而有「奈米晶粒之非挥发性记忆体」技术的开发。快闪记忆体也面临诸多特性上的限制，例如操作速度太慢和操作周期不长等等。因此更有潜力的记忆体技术需要被进一步开发，以满足未来更广大的记忆需求。