MEMS器件深槽侧壁形貌测试方法研究(测试计量技术及仪器专业优秀论文) - docin.com豆丁网 用于高深宽比微结构制作的技术主要有LIGA、 准LIGA（LIGA—LIKE，通常是UV—LIGA）和深层反应离子刻蚀（deep reactiveion etching，DRIE）等田1们。通常MEMS高深宽比微细结构大约是宽度为1--一lOpm，高度为 10～500岬的微结构
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...宽比微结构制作的技术主要有LIGA、 准LIGA（LIGA—LIKE，通常是UV—LIGA）和深层反应离子刻蚀（deep reactiveion etching，DRIE）等田1们。
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组合刻蚀工艺是采用深层反应离子刻蚀 (deep RIE)再结合EPW湿法刻蚀 (一种各向异性刻蚀技术 )。由于EPW湿法刻蚀对〈110〉面刻蚀速率较慢 ,可制作出具有光学镜面的侧壁〈110〉的硅...
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深层反应离子蚀刻 DRIE
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