...台积电日前宣布将28奈米制程定位为全世代(full node)制程，同时提供高介电层金属闸(High-k / Metal Gate，HKMG)及氮氧化矽(SiON)材料等两种选择，今年底就会开始提供客户28奈米晶圆共乘服务(CyberShuttle)，预计2010年第一季开始生产。
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...方目前在28奈米世代的合作包括高介电层/金属闸(high-k metal gate，HKMG)的高效能制程技术以及具备氮氧化矽(silicon oxynitride，SiON)的低耗电高速制程技术。此外，高通预计于2010年年中投产首批 28奈米产品。
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据称，联电的28奈米氮氧化矽(PolySiON)制程良率已拉高到70%以上、最高良率并已突破80%，同时联发科手机晶片订单放量在即，且明年随著高介电金属闸极(HKMG)制程良率进一...
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