RH850/F1x系列采用40纳米（nm）工艺的金属氧化氮氧化矽（MONOS）[注释1]嵌入式Flash技术，从而降低了功\耗（RH850/F1L的功\耗为0.5 mA/MHz），提高了可靠性。
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金属氧化氮氧化矽
Metal nitrogen oxide silicon oxide
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