快速—热退火( RTA) 是半导体加工工艺中的一种常规技术手段，一般用来激活半导体材料中的掺杂元素和将由离子注入造成的非晶结构恢复为完整晶格结构。
... L引言 为了获得大规模和超大规模集成电路工艺所需要的p+一n浅结,利用分子离子BF犷注人结合快速热退火(RaPid Thermal Annealing,RTA)是一种有效的途径,因而引起了各国学者的重视氏刀.然而,BF才注人多晶硅薄膜及其退火行为研究得较少囚.
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... - 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA); - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO); - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN); ...
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灯快速热退火 LRTA
脉冲快速光热退火 PRPTA
快速光热退火 RPTA
快速高热退火 RTA
快速加热退火制作工艺 rapid thermal annealing process ; RTAPROCESS
In this paper, we implanted Mn+ ion of different dose into undoped semi-insulating (100) GaAs substrate then performed rapid thermal annealing in different temperature and time.
本课题采用离子注入的方法将不同剂量的Mn~+注入到非掺杂半绝缘(100)GaAs单晶衬底中，然后进行不同温度和时间的快速热退火处理，研究了不同的退火条件对样品注入层的晶体结构、电特性和磁特性的影响以及Mn~+在样品中的存在状态与这些性质之间的关系。
参考来源 - 掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料特性研究Thermal stability of hexagonal Mg_xZn_(1-x)O films with high Mg concentration x=0.53 were especially studied by rapid thermal annealing the films in O_2 ambient and in the temperature range of 200-1000 oC.
并选择高Mg含量(53%)的Mg_xZn_(1-x)O六方相薄膜在200-1000℃O_2气氛中进行快速热退火,研究其结构和光学性质的热稳定性。
参考来源 - MOCVD法制备Mg·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
而且，发现在样品中的深辐射能级的荧光效率也受到快速热退火的影响。
Furthermore, we found that the luminescence efficiency of the deep radiative levels in the samples were also affected by rapid thermal annealing.
本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火（RTA）形成的多晶硅化镍膜的电特性。
Polycrystalline nickel silicide film formed on thin oxide by rapid thermal annealing (RTA) has been investigated by capacitance voltage ( C V ) measurements.
不同预烧温度所制备的CCTO薄膜，经快速热退火处理后，其介电损耗值较小，基本在0.1~0.35之间。
The CCTO films prepared with different preheating temperature after rapid thermal annealing treatment have the smaller dielectric loss, and the values lie in between 0.1~0.35.
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