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atomic layer epitaxy

原子层外延

第一章绪论1．2．2．8原子层外延（ALE） 原子层外延（Atomic Layer Epitaxy）是一种基于MOCVD的超薄薄膜低温生长技术，反应气体可调节，交替供给原材料，并在两气体束流之间清洗反应室。

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最初称为原子层外延

原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)，最初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy, ALE)，是一种可以将物质以单原子层形式，一层一层的生长在基底表面的方法。

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又称原子层沉积或原子层外延

2.1原子层沉积技术简介单原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)，又称原子层沉积或原子层外延(atomic layer epitaxy)，最初由芬兰科学家在上世纪70年代提出，多用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制。

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称为原子层外延

原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)，最初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy, ALE)，是一种可以将物质以单原子层形式，一层一层的生长在基底表面的方法。

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短语

metal- organic atomic layer epitaxy 金属有机化合物原子层外延

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abstract: Atomic layer epitaxy (ALE) or Atomic Layer Chemical Vapor Deposition (ALCVD), now more generally called Atomic Layer Deposition (ALD), is a specialized form of epitaxy that typically deposit alternating monolayers of two elements onto a substrate. The crystal lattice structure achieved is thin, uniform, and aligned with the structure of the substrate.

以上来源于: WordNet

A brief review is given to the present status and prospect for atomic layer epitaxy (ALE) technique.

综述了原子层外延(ale)技术的现状及其发展趋势。

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