indium nitride
...百科科学词条编写与应用工作项目 审核 。 氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。 氮化铟(InN)是氮化物半导体材料的一种。常温常压下的稳定相是六方纤锌矿结构,是一种直接带隙半导体材料。
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定义 中文名称： 氮化铟 英文名称： indium nitride 定义： 由ⅢA族元素In和ⅤA族元素N化合而成的半导体材料。分子式为InN。室温下禁带宽度为0.90eV，属直接跃迁型能带结构。 应用学科： 材料科学技
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氮化铟镓 InGaN ; GaInN
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氮化铝铟镓 AlInGaN ; AlGaInN
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氮化铝铟 AlInN
通过结合氮化铟薄膜的基本光学参数，利用Z扫描技术研究了氮化铟薄膜在不同脉宽以及波长激光下的非线性光学吸收性质。
By using Z-scan technique the nonlinear optical absorption properties of InN thin film under different pulsed laser and wavelengths have been well studied.
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氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。 氮化铟(InN)是氮化物半导体材料的一种。常温常压下的稳定相是六方纤锌矿结构,是一种直接带隙半导体材料。
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