...潜能，开发尖端的大容量电池组半导体制作技术，尤其是日光能行业上用到的远距离等离子化学气相淤积技术，进展诸如氮化镓铟(InGaN)的III族氮化薄膜技术，使之变成日光能行业关心注视的焦点。
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在90年代初，两种新材料的LED光源被开发出来，即发红光、黄光的GaAlInP（磷化镓铝）和 发绿、蓝光的GaInN（氮化镓铟）。这两种材料的开发成功，使LED的光效又得到大幅度的提高。
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氮化铟镓 InGaN ; GaInN
铟氮化镓 InGaN
氮化铝镓铟 AlGaInN ; AlInGaN
氮化铝铟镓 AlInGaN ; AlGaInN
氮砷化铟镓 InGaAsN ; GaAsInN
氮化铟镓磊晶片与晶粒 InGaN Epi Wafer & Chip
氮化镓铟
Indium gallium nitride
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