An opening is formed at the second metal layer above the etch stop layer to expose the etch stopping layer.

在蚀刻停止层上方的第二金属层形成一开口，使蚀刻停止层暴露出来。

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The invention discloses an etching stopping layer comprising a nitrogenous silicon carbide layer formed on a substrate and a silicon nitride layer formed on the silicon carbide layer.

本发明公开了一种刻蚀停止层，包括在衬底上形成的含氮的碳化硅 层，以及位于所述碳化硅层之上的氮化硅层。

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The invention discloses an etching stopping layer comprising a nitrogenous silicon carbide layer formed on a substrate and a silicon nitride layer formed on the silicon carbide layer.

本发明公开了一种刻蚀停止层，包括在衬底上形成的含氮的碳化硅 层，以及位于所述碳化硅层之上的氮化硅层。

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