At the 2010 IEEE International Electron Devices Meeting in San Francisco next week, Samsung will present a paper on a rival technology: ''gate-last high-k/metal gate devices.''
不过， 令人 感到意外的是，在下周即将召开的2010年IEEE国际电子设备大会上，三星准备演讲的文章题目竟然是《gate-last工艺high-k金属栅设备》。
This article is related to a calculating method of atomic ionization cross section on K - shell when bombarding a nuclear target with electron.
介绍了利用电子轰击核靶原子K壳层电离截面的一种计算方法。
The improvements are attributed by the large increase in average electron mobility as well as in drift velocity at 77 K.
作者认为这主要归因于低温下平均电子迁移率和电场漂移速度有很大的提高。
"High resolution electron microscopy for materials science". D. Shindo, K. Hiraga. Springer. 1998. Beautiful collection of HREM images and examples of their analysis.
有中文版，《材料评价的高分辨电子显微学方法》，大量精彩的高分辨照片，使用技巧。
"High resolution electron microscopy for materials science". D. Shindo, K. Hiraga. Springer. 1998. Beautiful collection of HREM images and examples of their analysis.
有中文版，《材料评价的高分辨电子显微学方法》，大量精彩的高分辨照片，使用技巧。
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