K-electron capture 层电子捕获 ; 层电子俘获
k electron conversion ratio 电子转换系数 ; k电子转换系数
K electron K层电子
k-shell electron k壳层电子
ratio K-electron conversion K层电子转化比率
k-shell electron capture k壳层电子俘获
K-shell bound electron K壳层束缚电子
At the 2010 IEEE International Electron Devices Meeting in San Francisco next week, Samsung will present a paper on a rival technology: ''gate-last high-k/metal gate devices.''
不过， 令人 感到意外的是，在下周即将召开的2010年IEEE国际电子设备大会上，三星准备演讲的文章题目竟然是《gate-last工艺high-k金属栅设 备》。
This article is related to a calculating method of atomic ionization cross section on K - shell when bombarding a nuclear target with electron.
介绍了利用电子轰击核靶原子K壳层电离截面的一种计算方法。
The improvements are attributed by the large increase in average electron mobility as well as in drift velocity at 77 K.
作者认为这主要归因于低温下平均电子迁移率和电场漂移速度有很大的提高。
应用推荐