...次工程的技术,在维持各式深次微米制程的驱动电流(drive current)之际,可减少N型电晶体(NMOS)的 闸极漏电流 ( gate leakage )高达70%,P型电晶体(PMOS)的部份则高达90%。
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闸极漏电流
Gate leakage current
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这些效能改进的原因可以归之于经过表面处理后,闸极漏电流的降低以及载子注入的减少。
The improvements are most likely due to the reduction of the gate leakage current and the charge injection effect.
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