通常情况下，停电是不可避免的，为了不破坏系统中的数据，必须使用非易失性存储器，使用EEPROM或闪速存储器(Flash Memory)作为存储介质显然是适的，它们的写需要数十毫秒，特别是在实时性要求较高的场合必须用电池支持的SRAM，它既有RAM的读写速度，又有...
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• Flash ROM(闪速存储器)：具有结构简单、控制灵活、编 程可靠、加电擦写快捷的优点，而且集成度可以做得很 高，它综合了前面的所有优点：不会断电丢失数...
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...)二、可编程只读存储器(PROM)三、可擦除可编程只读存储器(EPROM)四、电擦除可编程只读存储器(EEPROM)五、闪速存储器(Flashemory)第五节 主存储器的控制与组成存储器容量的扩充二、存储控制三、存储校验线路第六节 高速存储器一、相联存储器二、多体交叉存储器...
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闪速存储器（ 闪速存储器（Flash Memory Flash Memory）：闪速存储器是 ）：闪速存储器是 新型非易失性存储器，在系统电可重写。 新型非易失性存储器，在系统电可重写。
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对系统的总体设计思想及闪速存储器的特点作了阐述。
The system's general design idea and the features of the flash memory are represented in the paper.
高压发生系统用来为闪速存储器在编程和擦除操作时提供高压。
High voltage system is used to generate high voltage for Flash Memory when programming and erasing.
通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(ILC)产生机理。
The generation mechanism of stress induced leakage current (SILC) in flash memory cell is studied by experiments.
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