... density effect 异重效应;密集效应 depletion effect 耗尽效应 detention effect 滞留作用,滞洪作用 ...
基于114个网页-相关网页
例如，多晶硅栅电极的耗尽效应(poly depletion effect)使得降落在栅氧层的有效电压减小，量子效应(quantum effect)更加明显，使得载流子分布不再符合传统的麦克斯韦统计分布规律。
基于12个网页-相关网页
耗尽型场效应晶体管 depletion mode fet ; normally on fet ; [电子] Depletion mode field effect transistor ; dfet
多晶耗尽效应 poly-depletion effect
多晶硅耗尽效应 poly-si depletion effect
耗尽型MOS场效应管 depletion mode MOSFET
耗尽层光电效应 depletion-layer photeffect
耗尽模式场效应晶体管 depletion mode field effect transistor
提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型。
The MOSFET gate currents of high k gate dielectrics due to direct tunneling are investigated by using a new direct tunneling current model developed.
在部分耗尽型SOI结构中，SOI中顶层硅层的厚度为50-90nm，因此沟道下方的硅层中仅有部分被耗尽层占据，由此可导致电荷在耗尽层以下的电中性区域中累积，造成所谓的浮体效应。
In partially depleted SOI, the top layer is between 50- to 90-nm thick. Silicon under the channel is partially depleted of mobile charge.
研究了在改性注氧隔离（SIMOX）材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。
Total-dose irradiation effect of partially-depleted NMOS transistors with gate-all-around and H-gate structures fabricated on modified SIMOX was studied.
应用推荐