惠普在实验室里证明了忆阻器（memristor）的存在，现在两家公司计划利用忆阻器来开发电阻式内存（ReRAM），忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低，速度更快，而且能在断电时存储数据，如果研制成功的话将会可能代替现有的DRAM和Flash芯...
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” 多年来，包括铁电内存(FeRAM)、磁性内存(MRAM)、相变化内存与电阻式内存(RRAM)等各种内存的开发者，都各自宣称他们的技术最终将成为通用内存，并取代现有的内存技术。
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可变电阻式内存 RRAM
磁电阻式内存 Magneto-resistive RAM ; MRAM
电阻式随机存取内存 resistive random access memory ; Magnetic Random Access Memory ; RERAM
电阻式非挥发性内存 RRAM ; Resistive Random Access Memory
的电阻式非挥发性内存 Resistive Random Access Memory
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