resistive random access memory
...舒拉克及同事提出的这种三维纳米电子系统模型，创新性地结合了碳纳米管传感器，并应用了新兴记忆技术――可变电阻式内存（RRAM）的晶体管，以及传统硅电路高中阶段各类学校招生总计划数与去年相当，普通高中计划数与去年基本持平，中职招生计划结构得到进一步...
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