外延生长的薄膜材料和衬底材料不同，或者说生长化学组分、甚至是物理结构和衬底完全不同的外延层，相应的工艺就叫做异质外延；这类工艺复杂、成本较低 这种方法在晶体生长中应用的比较多，能够改善晶体的生长，可以用来形成自然界中没有的人工结构材料。 在半导体应用中，异质外延材料的选择是根据其能带间隙和晶格匹配来决定的。对于光学应用，还需要考虑光子跃迁方式。
关键词 : 氮化镓 : 硅 ; 异质外延 ; X 射线衍射 ; 拉曼散射 [gap=919]Key words: GaN: Si; heteroep itaxy; X-ray d iffraction (XRD ) ; Raman sca tter ing
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... selective epitaxy 选择外延 Heterogeneity Epitaxy 异质外延 hetero epitaxy 异质处延 ...
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Especially the hetero-epitaxy of ZnO film, that is a very important work.
特别是ZnO薄膜的异质外延,这是非常重要的课题。
参考来源 - ZnO薄膜的制备及其特性研究Heteroepitaxial growth is an important subject in film growth. The study on film growth at atomic level is helpful to reveal the nature and physical mechanism of film growth.
异质外延生长是薄膜生长中的重要研究课题,从原子水平上认识异质薄膜生长的物理本质,对于改进制备工艺和提高薄膜质量都有着重要的指导作用。
参考来源 - Au/Cu、Ag/Cu及Cu/Au体系异质外延生长的分子动力学研究Strain-driven formation of nanoscale islands onlattice-mismatched layers in heteroepitaxy offers an attractive way foreffective fabrication of coherent quantum dots of large density.
采用异质外延生长，在晶格失配的基底上形成纳米尺寸的应变岛，为有效构造高密度的量子点提供了一个迷人的方法。
参考来源 - 半导体量子点系统中应变调制的自组装·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
半导体异质外延材料和量子点材料在纳米电子学、光电子学中具有广泛的应用前景。
The materials of semiconductor hetero-epitaxy and quantum dots are widely used in the fields such as nano-electronics and optoelectronics.
本文介绍了影响半导体异质外延晶片质量的主要因素，检测方法，几个典型测试结果。
The main factors affecting the quality of semiconductor heterostructure epitaxy chips, inspection methods and some typical test results have beeen introduced in this pater.
评论了国内外化学气相沉积的异质外延金刚石膜制备技术、性质表征以及应用和展望。
The major aspects of the recent development in the growth, characterization and applications of the hetero epitaxial diamond films by chemical vapor deposition were reviewed.
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