polycrystalline germanium 由不同晶向、不同尺寸的锗单晶晶粒组成的固体锗，包括还原锗、高纯锗，铸造多晶锗和直接多晶锗。 主要做光学镀膜、含锗超导材料、非半导体用合金原料等。
定义 中文名称： 多晶锗 英文名称： polycrystalline germanium 定义： 由大量不同晶向、不同尺寸的锗单晶体构成的固体。包括还原锗、区熔锗等。 应用学科： 材料科学技术（一级学科）； 半导体材料（二级学科）；元素半导体材
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包括锗硅单层、多层结构的外延生长、以及金属诱导生长多晶锗硅和肖特基二极管原型器件的制备。
The research focused on the growth of SiGe single layer, multi-layers, metal induced growth of poly-SiGe, Schottky barrier diodes (SBDs) were fabricated.
NMOS晶体管(A)的门电极(16)在n -型掺杂的不含锗的多晶硅层(14)上形成。
The gate electrodes (16) of the NMOS transistors (a) are formed in a layer of n-type doped polycrystalline silicon (14) without germanium.
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