多晶矽锗 ( poly-SiGe )的相关研究 则开始于 90 年代初期，主要是沈积于表面绝缘的基板上，如玻璃或 热氧化层(thermal oxide)，由于沈积条件不若磊晶薄...
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多晶锗硅 Poly-SiGe
多晶硅锗
Polysilicon germanium
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NMOS晶体管(A)的门电极(16)在n -型掺杂的不含锗的多晶硅层(14)上形成。
The gate electrodes (16) of the NMOS transistors (a) are formed in a layer of n-type doped polycrystalline silicon (14) without germanium.
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