反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的，利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀，即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。但是该刻蚀技术不能获得较高的选择比，对表面的损伤大，有污染，难以形成更精细的图形。
反应离子刻蚀（Reactive ion etch）是在等离子中发 生的。 随着材料表层的“反应-剥离-排放”周期循环，材 料被逐层刻蚀到制定深度。
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...。由于湿法酸刻蚀的各向同性效应，亚表面层的划痕和坑洞等结构性缺陷会在几何尺度上被不断复制和延展，导致元件表面粗糙度增加，面形劣化。反应离子刻蚀(RIE)是一种物理轰击和化学刻蚀相结合的刻蚀过程，通过氟碳气体放电产生活性基团，与熔石英材料表面相互作用，各向异性地去除材料表面...
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金属三维微结构加工技术的研究 关键词：MEMS；微加工；反应离子刻蚀；电镀；金属微结构 [gap=1239]Key Words：MEMS；Micmfabricafion；RIE Etching；Electroplating；Metal Micro Structure
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目前流行的典型设备为 反应离子刻蚀 （ RIE-Reactive Ion Etch ）系统。它已被广泛应用于微处理器（CPU）、存储（DRAM）和各种逻辑电路的制造中。
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深反应离子刻蚀 DRIE ; Deep Reactive Ion Etching
反应离子刻蚀法 Reaction Ion Etch ; Reactive Ion Etching
反应离子刻蚀延迟效应 RIE LAG
磁电管反应离子刻蚀 Magnetron Reactive Ion Etch
反应离子刻蚀系统 Reactive Ion Etching System
真空反应离子刻蚀 Star RIE
反应离子刻蚀设备 Reactive Ion Etching Machine
磁增强反应离子刻蚀 MERIE
深层反应离子刻蚀 deep reactive ion etching ; DRIE ; Deep RIE
通过反应离子刻蚀可以将光刻胶微透镜图形转移至这种高性能的聚合物材料上。
Pattern transfer technique is used to transfer photoresist microlens arrays into the polymer underlayer.
衍射光学元件的制作技术主要包括激光或电子束直写、反应离子刻蚀、离子束铣及薄膜沉积。
DOE's fabrication techniques mainly include laser beam or electron beam writing, RIE, ion milling and thin film deposition.
我们同时对反应离子刻蚀工艺中的等离子体充电效应和离子轰击对氧化硅造成的损伤进行了讨论。
At the same time, the influence of plasma charging and ion bombardment on the quality of silicon oxide are analyzed.
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