...密的论文在解密后应遵守此规定） 签名：—皿导师签名： 日期：匕塑：芏：墨三 第1章绪论 1．1氧化锌概述 第1章绪论 氧化锌（ZnO）是一类重要的宽禁带II．VI族化合物半导体材料，属n型氧化物 半导体，其室温禁带宽度Eg＝3．37eV。
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氧化锌 [无化] Zinc Oxide ; ZnO ; T-ZnO ; Z-Cote ; zinc oxide
氯化锌 [无化] Zinc chloride ; ZnCl ; ZincChlorideCAS ; ZINC
硫化锌 [无化] zinc sulfide ; ZnS ; zinc sulphide ; Sachtolith
磷化锌 [无化] zinc phosphide ; phosphorate zinc ; Zinc Phosphoride ; ZnP
氰化锌 [无化] zinc cyanide
溴化锌 [无化] zinc bromide ; Zinc bromide anhydrous
碘化锌 zinc iodide ; zinc diiodide ; Zinc iodide-starch solution
氟化锌 [无化] zinc fluoride ; Zinc difluoride ; Zinc fluoride tetrahydrate ; zinc fl
氢氧化锌 [无化] zinc hydroxide ; ZnOH ; Zi ; zinchydrox
同时采用CVD硒化锌，可以透射可见光并承受大功率。
We use CVD ZnSe through which the visible light can go through and by which the expander can bear larger power.
多层化合物合成炉装置用 于碲化镉、碲化锌和碲化铅的合成。
The multilayer compound synthetic furnace device is applied to the synthesis of cadmium telluride, zinc telluride and lead telluride.
这种窗口镜可以选择硒化锌和锗两种基材，进行根据使用要求选择镀膜或者不镀膜。
The window mirrors can choose from ZnSe and Ge as the base materials with coating or not according to specific requirements.
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