化学气相沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。
化学气相沉积 CVD ; chemical vapor deposition ; PECVD ; MPCVD
化学气相沉积法 CVD ; Chemical Vapor Deposition ; chemical vaporous depositon ; MPCVD
金属有机化学气相沉积 MOCVD ; Metal organic chemical vapor deposition ; metal organic Chemical Vapor Phase Deposition
低压化学气相沉积 LPCVD ; Low Pressure CVD ; low-pressure chemical vapor deposition
有机金属化学气相沉积 Metal-organic Chemical Vapor Deposition ; OMCVD
常压化学气相沉积 APCVD ; Atmospheric Pressure CVD
热丝化学气相沉积 HWCVD ; HFCVD ; hot filament chemical vapor deposition ; Hot Wire Chemical Vapor Deposition
等离子体化学气相沉积 PCVD ; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ; plasma cvd
物理化学气相沉积 PCVD
改进的化学气相沉积 MCVD
. In this paper, chemical vapor deposition (CVD) with simple equipment, low cost and easy operation was adopted.
本文中实验均采用设备简单、成本低廉、操作容易的化学气相沉积法(APCVD)。
参考来源 - GaN纳米材料的CVD制备与研究This paper has discussed preparing Diamond-like Carbon films by means of micro-wave ECR plasma source ion implantation and plasma enhanced chemical vapour deposition .
本文探讨了利用微波ECR全方位离子注入技术和等离子增强化学气相沉积技术来制备类金刚石膜。
参考来源 - 类金刚石膜的制备与特性研究Without doping,plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of silica films on Si substrates with gas mixtures of SiH_4 and N_2O is considered.
以硅烷和氧化二氮作为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,不使用掺杂,在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。
参考来源 - 期刊学术社区·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
研究所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法合成的。
The carbon nanotubes were synthesized by the heat filament chemical vapor deposition.
实验中所用碳纳米管由化学气相沉积法(CVD)合成。
The carbon nanotubes were synthesized by the heat filament chemical vapor deposition (CVD).
薄膜的制备方法包含很多,主要有化学气相沉积,物理气相沉积和其他一些独特的制备方法。
There are a lot of methods in producing films, including CVD, PVD and some other special methods.
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