在掺氮直拉(NCZ)硅中,氮在低温下与氧形成的N_2O_n是氧沉淀的异质形核中心,并且O_(2i)的存在可能加快N_2O_n的形成。
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零极距(NCZ)单元槽的阳极和普通高电流密度电解槽(NCH)一样,和普通自然循环电解槽(NCS)相比,为了保证高电流密度运行时,电槽内部的良好...
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(ACZ)及氮气氛直拉硅(NCZ)抗弯强度(σ)的影响规律。 结果表明: 硅氧络合物和氮
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利用透射电镜对掺氮(NCZ)和普通(CZ)直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究.研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,而在CZ样品中,没有...
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