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  • The behavior of oxidation-induced stacking faults (OSF) in NCZ and CZ silicon single crystal was investigated.

    采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶，研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错（OSF）的行为。

    youdao

  • The behavior of oxidation-induced stacking faults (OSF) in NCZ and CZ silicon single crystal was investigated.

    采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶，研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错（OSF）的行为。

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- 来自原声例句
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