会产生空穴缺陷问题的是称为“内部去疵法（Intrinsic Gettering）”的晶圆制造工艺。所谓内部去疵法就是将晶圆中添加的氧原子聚集到晶圆内部的特定位置，将金属原子捕捉到该位置来防止污染。
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The polysilicon can enhance oxygen precipitation nucleating and growing, acting as the intrinsic gettering.
多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长，起内吸杂作用。
Rapid thermal process (RTP) was used in the intrinsic gettering (IG) process of fast neutron irradiated CZSi.
将快速热处理（RTP）引入到快中子辐照掺氮直拉硅的内吸杂工艺中。
Rapid thermal process (RTP) was first used in the intrinsic gettering (IG) process of fast neutron irradiated CZSi.
首次将快速热处理（RTP）引入到快中子辐照直拉硅的内吸杂工艺中。
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