高苑技术学院电子工程系杨耀升 高苑技术学院电子工程系杨耀升 闸极氧化层(Gate Oxidation) 在金属半电晶体中，闸极下方的二氧化矽薄膜必须是高品质 的绝缘材料，其基本功能类似电容器中的介电质，经由施加 于闸极上的电压...
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It includes: Silicon surface treatment before gate oxidation; nitrogen content in the gate oxide; fluorine content in the gate oxide; the prevention and cure of plasma induced damage.
其中包括:栅极氧化层生长之前的硅表面,栅极氧化层中氮的含量,栅极氧化层中氟的含量,和电浆损伤的防治。
参考来源 - 0.13微米逻辑电路负偏压温度不稳定性的改善·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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