金属硅化物是指过渡金属与硅生成的硬质化合物。由于硅原子半径较大，不能与过渡金属生成间隙化合物，因而这类硬质化合物化学成分稳定金属硅化物具有好的抗氧化性。
在表面溅射一层金属层(比如 ti)，在与硅 接触的表面反应形成金属硅化物(silicide)， 在外表面形成 tin。 如果栅、 源、 漏极都有 silicide 俗称为 salicide，如果只形成在多晶硅上称为 polycide。
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...e-field, thermal grooving, diffusion,kinetics, metal silicides [gap=255]关键字：相场，热开槽，扩散，动力学，金属硅化物 ...
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... 硅化物陶瓷;silicide ceramics 金属硅化物;metallic silicides 硼化硅;boron silicide;silicon boride ...
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在栅极和源漏极的pn结的扩散方面,采用多晶金属硅化物（Polycide）和金属硅化物（Silicide）来制备,以减小寄生电阻。金属硅化物一般使用硅化钨和硅化钛,但是现在已经被硅化钴所取代。
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本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。
The metal silicide layer prepared by the method has high heat stability and controllable growth speed.
因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业。
The formation of silicides from the reaction between deposited thin metal films and Si substrates has wide application in the semiconductor industry.
阐述了稀土金属硅化物的生长工艺和与硅衬底间势垒及界面特性。
The growth techniques, the barrier states and the interfaces for rare earth silicides were thoroughly described.
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