... hole drift mobility 空穴漂移迁移率 silicon hole mobility 硅的空穴迁移率 silicon carbide hole mobility 碳化硅空穴迁移率 ...
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硅的空穴迁移率
Hole mobility of silicon
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本文主要研究应变硅空穴各机制散射几率及空穴迁移率与晶向、应力的理论关系。
The main work is focused on models of hole scattering mechanisms and hole mobility which is related to the crystal orientations and stress of strained Si.
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