通常构成量子阱的二种材料的晶格常数要经过特殊选择调整，以保证它们之间的晶格匹配，避免在其交界面区产生大量的失配位错，影响界面带结构和电子的输运，它大大限制了量子阱结构材料选择的自由度。
进入八十年月，许多人吸收了半导体物理成长的最新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性布局，引进了折射率调制Bragg发射器以及增夸大制Bragg发射器最新技术，同时还成长了MBE、MOCVD及CBE等结晶体生长技术新工...
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压应变量子阱激光器 squeezed strained quantum well laser
应变层量子阱 strained layer quantum well
应变层单量子阱 strained-layer single quantum well
应变补偿多量子阱 SCMQW
应变层多量子阱激光器 SLMQW strained layer multiquantum-well laser
应变多量子阱 crystalline damage
应变层量子阱异质结构 strained layer quantum well heterostructure
本文报道了以混合应变量子阱结构为有源区的激光器。
The dual polarization dual wavelength lasers with active layer of mixed strained layer quantum well are reported in this paper.
介绍应变量子阱材料的稳定性理论——能量平衡模型；
The energy equilibrium model—The stability theorem on the strained quantum well structure materials have been introduced in the paper.
结果表明，压应变量子阱半导体激光器具有更优异的特性。
All results show that the compression strain laser diodes have better characteristics.
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