即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。
The most aim is to found the rule of carbon effects oxygen deposition and the change of minor carrier lifetime in annealing .
其主要目的是通过不同温度的热处理，发现碳对氧沉淀影响的规律，以及热处理过程中硅片样品少子寿命的变化。
参考来源 - 氧碳含量对太阳电池光电转换效率影响的研究Minority-Carrier Lifetime is an important parameter to semiconductor materials and devices.
少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。
参考来源 - 硅键合材料及二极管少子寿命测试分析与研究Effective lifetime of silicon wafers reduces gradually as etching time increases.
随着在HF/Fe（NO3）3溶液中反应时间的增加,硅片的少子寿命降低。
参考来源 - 晶体硅太阳电池表面陷光结构的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
少子寿命是PIN二极管的重要参数。
Minority carrier lifetime is an important parameter for PIN diodes.
三种吸杂方式都能明显提高多晶硅的少子寿命。
All these three ways can improve the minority carrier lifetime effectively.
可以使用这些结果讨论一些薄片的少子寿命和表面复合速度。
Using these results, we discuss minority carrier lifetime and surface recombination velocity of some wafers.
应用推荐