对n型半导体，其中非平衡少数载流子——空穴的寿命τ，也就是空穴的平均生存时间，1/τ就是单位时间内空穴的复合几率，Δp/τ称为非平衡空穴的复合率 （即n型半导体中单位时间、单位体积内、净复合消失的电子-空穴对的数目）；非平衡载流子空穴的浓度随时间的变化率为dΔp /dt =－Δp /τp, 如果τp与Δp 无关， 则Δp 有指数衰减规律：Δp = (Δp) exp( -t/τp )。
...测试技术 晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 其他资料请联系我们技术人员索取 少数载流子寿命（Minority carriers life time）： （1）基本概念： 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。
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这种表面反射的特点是密切相关的短路电流（JSC）的异质结太阳能电池，而少数载流子寿命（MCLT）决定的开路电压（Voc）和填充因子（FF）。的C-SI面的表面纹理表现出异质结太阳能电池的光学和电学特性的影响。
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本文提出了一种测量少数载流子寿命的方法。
In this paper showed a measurement method of minority carrier lifetime.
本文提出了一种新的测量半导体材料中少数载流子寿命的方法。
A new method for measuring the life time of minority current carriers in semiconductors is described.
对微波光电导法测量半导体少数载流子寿命的测试系统进行灵敏度分析。
The sensitivity for the semiconductor minority carrier lifetime measurement system was determined using microwave photoconductance decay.
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