早在 1876 年 ,W. G. Adams就发现了这一现象,然而直到1948年才将这一效应作为光谱检测技术应用于半导体材料的特征参数和表面特性研究上 ,这种光谱技术称为表面光电压技术(Sur face Photov oltaic Technique)或表面光电压谱(Sur facePhotov oltage Spectroscopy ,简称SPS) 。表面光电压技术是一种研究半导体特征参数的极佳途径 ,这种方法是通过对材料光致表面电压的改变进行分析来获得相关信息的。1970 年 ,表面光伏研究获得重大突破 ,美国麻省理工学院 G ates教授领导的研究小组在用低于禁带宽度能量的光照射 CdS表面时 ,历史性的第一次获得入射光波长与表面光电压的谱图 ,以此来确定表面态的能级 ,从而形成了表面光电压谱这一新的研究测试手段。