1970年采用双异质结的GaAs-GaAlAs注入式半导体激光器实现了室温连续工作。与此同时,贝尔实验室H.利戈尼克等发现在周期结构中可由反向布喇格散射提供反馈,可以代替解理面。在实验中,最初是把这种结构用于染料激光器,1973年开始用于半导体激光器,1975年GaAs 分布反馈激光器已实现室温连续工作。
材料和泵浦方式 制作半导体分布反馈激光器的材料有GaAs-GaAlAsIn、P-InGaAsP、Pb1-xSnxTe和 CdS等。非半导体材料的分布反馈激光器主要采用染料作为活性介质。泵浦方式主要采用电注入,也采用光泵和电子束激励。