与DDR2比，GDDR3的架构更接近于DDR2，也是由DDR2开发而来，作为显卡的专用显存。从速度上讲，GDDR3更接近于DDR2，与较新的DDR3有一定差距。且GDDR3与DDR3是完全
不同的两代产品。与GDDR相比，GDDR3的主要创新表现为：工作电压从2.5V下降到1.8V；片内信号端接取代了GDDR中末端接的信号线；动态控制阻抗的输出驱动器；4位预取和单向单端数据选通。所有这些特性的综合效果就是更高的数据速率、更好的信号完整性和更低的功耗。由于这些变化，GDDR3存储器可以获得比GDDR和DDR2标准高得多的数据速率。
片内信号端接：随着传输频率的上升，信号线必须用电阻端接，以防止反射信号干扰正常信号而影响信号质量。GDDR端接是通过外部电阻实现的，该电阻焊接在靠近存储器的PCB上。外部端接可以略微扩展GDDR的频率范围，但该类端接方案不能满足提升到高达800MHz甚至更高频率范围的GDDR3所需的信号完整性。因此GDDR3使用片内信号端接，其端接电阻集成在存储器芯片内部。
支持可靠高速的点到点传输的另外一个重要功能特性是具有自适应阻抗的Vddq端接。GDDR3的I/O接口是一个总线两端都被端接的伪开漏逻辑电路：一端是40欧姆阻抗的动态控制驱动器，另外一端是具有60欧姆信号线端接的接收器。