主动区工作区主动晶体管ACTIVE TRANSISTOR被制造的区域即所谓的主动区Active Area在标准之MOS制造过程中Active Area是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的而由于利用到局部场氧化之步骤所以Active Area会受到鸟嘴Birds Beak之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小以长0.6um之场区氧化而言大概会有0.5um之Birds Beak存在也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5um