当PN结的掺杂浓度很高时，阻挡层就十分薄。这种阻挡层特别薄的PN结，只要加上不大的反向电压，阻挡层内部的电场强度就可达到非常高的数值。这种很强的电场强度可以把阻挡层内中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，变为自由电子，同时产生空穴，这个过程称为场致激发。由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。这种击穿通常称为齐纳击穿。齐纳击穿发生在掺杂浓度很高的PN结上，同时在此较低的外加电压时就会出现这种击穿。
齐纳击穿（Zener breakdown）是指在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很小，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束...
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对输出电压及其温度系数进行“齐纳击穿”(zener-zap)调整，可确保输出容差很小且热漂移很低。此外采用独特的曲率校正电路，可有效降低以前许多带隙基准电压源的热曲率特性。
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... Zeeman n effect 塞曼效应 Zener r breakdown 齐纳击穿 Zener r diode 齐纳二极管 ...
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（2）热击穿 — PN 结烧毁。 反向击穿原因： 齐纳击穿(Zener)：向电场太强，将电子强行拉出共价键。(击穿电压 < 6 V，负温度系数)； 雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，撞击使自由电子...
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齐纳击穿二极管 Zener Diodes
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