黄风义，男，教授，博士生导师，1964年12月21日出生于大连市。1986年7月学士毕业于北京大学物理系，1988年9月硕士毕业于复旦大学物理系半导体物理专业，获李政道物理奖学金。1988年至1989年获英国海外留学生奖学金，于1989年1月至1990年6月留学英国巴斯大学电子系。1991年6月入美国宜利诺斯大学香槟分校（半导体电子）材料和工程专业读博士，1994年10月以优秀成绩获博士学位。1994年10月至1997年7月在美国加利福尼亚大学洛杉矶分校电子工程系做博士后研究员。从事硅基谐振腔光探测器：材料结构、器件工艺和测试研究。