场效应高频功率晶体管 field-effect HF power transistor
高性能场效应管 Hi-Per VDMOS
高压场效应管 High Voltage MOSFETs
高频微波场效应管 LDMOS
高频场效应管 Low noise HEMT
节能灯高压场效应管 HV PowerMOSFET
通用高压场效应管 HV PowerMOSFET
高压场效应晶体管 HVFET
开关电源高压场效应管 HV PowerMOSFET
高电场肖脱基效应 high field Schottky effect
国内在这些专用集成电路的研制工作中所面临的主要困难，是高耐压高频结型场效应对管的工艺制作。
A big challenge to the development of this type of ASICs is the fabrication process for high-voltage, high-frequency pair JFETs.
高电子迁移率晶体管(HEMT)是利用异质结和调制掺杂技术制成的具有超高迁移率的场效应晶体管。
High electron mobility transistors (HEMT) is one of field effect transistors, which is made by modulation doped heterostructure technology and possess super high electron mobility.
本文叙述采用双栅砷化镓场效应晶体管和高优值硅外延变容二极管实现UHF电子调谐器低噪声化的有关设计和实验结果。
This paper reports the design and experiments of the low noise UHF electronic tuner consisting of a low noise dual-gate FET and a high merit silicon epitaxial varactor.
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