High VoltageInterconnection
...过程时间长、隔离横向扩散大等不足,且由于DMOS(Double-diffused MOSFET)器件漏极引出带来高压互连(High VoltageInterconnection,HVI)等新的问题。本文围绕SOI高压器件耐压与背栅效应、高压互连技术和BCD工艺进行研究。
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...OSFET)器件漏极引出带来高压互连(High VoltageInterconnection,HVI)等新的问题。本文围绕SOI高压器件耐压与背栅效应、高压互连技术和BCD工艺进行研究。
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