该制程采用氧化镧(lanthanum oxide ,LaOx)及氧化铝(aluminum oxide AlOx) 高介电值覆盖层( High K Cap layers),使得32纳米high k金属闸极堆叠采用单一金属，而不是之前CMOS所需要的两种不同的金属。
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高介电值覆盖层
High dielectric value covering layer
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