第一代顶点探测器是基于带电粒子的常规径迹探测方法，采用了多丝漂移室或时间投影室（TPC），以分离可能重迭在一起的相邻径迹，室以极高的精度（越0.002-0.005厘米容差）被准直，并且大多工作在高气压下，以对带电粒子留下的电离痕迹可提供精细的定位。第二代顶点探测器是建立在硅半导体技术基础上的，该技术已成功地小规模应用于为测量短寿命粒子衰变而设计的实验之中，这种衰变十分接近母体事件。顶点探测器处于对撞机实验的中心，环绕在束流管周围，它的功能是通过精准测量对撞反应所产生的次级带电粒子的径迹，来确定对撞点的空间坐标以及粒子在束流管中发生衰变所产生的次级顶点。